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半自动光刻机适合6寸8寸12寸晶圆及方片曝光

半自动光刻机适合6寸8寸12寸晶圆及方片曝光

本设备是我公司专门要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、MEMS、化合物半导体、声表面波器件的研制和生产,该机器是高校、研究所、企业用户优选的高性价比机型。

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联系方式

  • 联系人:
    娄先生
  • 职   位:
    经理
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  • 地   址:
    上海 上海 青浦区 海盈路
加工定制:是品牌:螣芯型号:HS910
用途:紫外曝光

半自动光刻机


主要功能

 本设备是我公司专门要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、MEMS、化合物半导体、声表面波器件的研制和生产,该机器是高校、研究所、企业用户优选的高性价比机型。


主要技术参数:

1.曝光类型:单面曝光;双面曝光;双面对准单面曝光 可选

2.曝光面积:160×160mm;210×2100mm;310×310mm;可选

3.曝光照度不均匀性:≤2.5%((Φ150mm 范围);

4.曝光强度:≥40mw/cm2可调;

5.紫外光束角:≤2?;

6.紫外光中心波长:365nm;405nm可选

7.紫外光源寿命:≥2万小时;

8.曝光分辨率:0.8μm;

9.曝光模式:可选择一次曝光或套刻曝光;

10.显微镜扫描范围:  Y:±30mm;

11.对准范围:X、Y±5mm(移动精度0.5um),Q±6°(移动精度0.001°)

12.对准精度:±0.5um;

13.分离量;0~1000μm可调;

14.接触-分离漂移:≤1μm;

15.曝光方式:真空接触、硬接触、压力接触、接近式;

16.掩模版尺寸:3″×3″、4″×4″、5″×5″、7″×7″9″×9″13″×13″各一件;

17.标配承片台: 2 英寸、3 英寸、4 英寸、6 英寸、8 、12、英寸各一件;

18.标准配件可兼容样片厚度:0.1-6 mm;

19.可设计工作厚度:50 mm;

20.对准系统:CCD


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