美国ABM光刻机SA系列正面对准（TSV）光刻机

光学系统   

曝光时间调解器：0.1至999.9秒(可调节精度0.1s)；

 365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环；   

声控功率警报装置可防止系统功率超过设定指标；   

有安全保护装置的温度及其气流传感器；   

全景准直透镜光线偏差半角: <1.84度；   

波长滤片检查及安装装置；   

抗衍射反射功能高效反光镜；  

 二向色的防热透镜装置；   

防汞灯泄漏装置；  

 配备蝇眼棱镜装置；   

配备近紫外光源，      

--220 nm 输出强度 – 大约 8-10 mW/ cm2      

--254 nm 输出强度 – 大约 12-14 mW/ cm2     

 --365 nm 输出强度 – 大约 18-20 mW/ cm2      

--400 nm 输出强度 – 大约 30-35 mW/ cm2 

 主要配置:   6”，8”光源系统   

可支持2”，3”，4”，6”，8”（圆/方片）及碎片光刻（支持特殊工艺卡盘设计）   

手动系统，半自动系统,   支持电源350-2000 Watt   

支持深紫外近紫外波长（可选项）<1.84度；  

 CCD或显微镜对准系统

 主要性能指标：:   

光强均匀性Beam Uniformity:      --<±1% over 2” 区域      

--<±2% over 4” 区域      

--<±2.5% over 6” 区域   

接触式样曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um  

 接触式样曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）： 0.5 um   

支持接近式曝光，特征尺寸CD:      

--0.8um 硬接触     

--1um 20 um 间距时      

--2um 50um 间距时   

正面对准精度±0.5um   

支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻，特征尺寸：100um-300um   

支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻   支持真空、接近式、接触式曝光   支持恒定光强或恒定功率模式