| 加工定制：是 | 品牌：SENTECH | 型号： SI 500 D |
| 用途：半导体薄膜设备ICP等离子沉积系统 ICPECVD | 别名：ICPECVD | 规格：1 |
ICP等离子沉积系统/ICPECVD
德国SENTECH公司 SI 500 D
利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下(< 100oC)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以实现沉积薄膜厚度、折射率、应力的连续调节。
- 低温沉积高质量电介质膜：80℃～350℃
- 薄膜特性连续可调:厚度、折射率、应力
- 高速率沉积、低损伤
- 基底温度从室温到350℃可控
- 配置预真空锁/Loadlock，带有取放机械手
- 可选激光干涉终点探测系统
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