| 产品特性：刻蚀 | 加工定制：否 | 品牌：德国SENTECH公司 |
| 型号：SI 500 | 用途：ICP | 别名：SI 500 |
| 规格：SI 500 |
感应耦合等离子体刻蚀机/ICP
设备详细咨询：娄先生 13122976482
系统配置:
编号 | 设备配置 | 具体指标 |
1 | 晶片尺寸 | 8"，使用载盘可以适用于2", 3", 4", 6" 晶圆, 以及小片样品) |
2 | 等离子源 | PTSA ICP等离子源 13.56 MHz, 功率1200 W 集成自动匹配网络 |
3 | 射频偏置电源 | 13.56 MHz, 600 W |
4 | 电极温控 | -30?C ~ 250?C （低温可选-150 ?C） |
5 | 反应腔本底真空 | ≤ 1 x 10-6 mbar |
6 | 气体管路 | 标准气柜最多可以配置16路气体管道。（可以增加气柜） |
7 | PC | Windows 7 Professional SENTECH***等离子设备操作软件 |
8 | 预真空室 | 配置。 |
9 | He晶片冷却 | 配置。 |
10 | 机械钳 | 配置。 |
11 | 深硅刻蚀典型指标 | - 刻蚀速率： 2~5 ?m/min - 选择比(SiO2)： 90:1 |
特性:
l 全自动/手动过程控制
l Recipe控制刻蚀过程
l 智能过程控制，包括跳转、循环调用recipe
l 多用户权限设置
l 数据资料记录
l LAN网络接口
l Windows NT 操作软件
选项:
l 增加气路
l PTSA源石英窗口
l 在线监测窗口，穿过PTSA源
l 循环冷却器，用于下电极温度控制 (-30?C to 80?C)
l 高密度等离子体磁性衬板
l 对等离子源和磁性衬板的外部升高装置
l Cassette到cassette操作方式
l 穿墙式安装方式
l 干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统
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