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EVG610单面、双面光刻机 微流控加工 纳米压印技术参数

【技术参数】

1.掩模版-基板-晶圆尺寸

掩模版尺寸：5寸/7寸/9寸

基片/晶圆尺寸：100mm/150mm/200mm

晶圆厚度：高达10mm

2.对准模式

顶部对准精度：≤ ± 0,5 ?m

底部对准精度：≤ ± 2,0 ?m

红外对准模式：≤ ± 2,0 ?m/取决于基片的材料

3.顶部显微镜

移动范围1：100mm（X轴：32-100mm；Y轴：-50/+30mm；）

移动范围2：150mm（X轴：32-150mm；Y轴：-75/+30mm；）

移动范围1：200mm（X轴：32-200mm；Y轴：-100/+30mm；）

可选：平坦的物镜可以增加光程；带有环形灯的暗场物镜，可以增加对比度

4.底部显微镜

移动范围1：100mm（X轴：30-100mm；Y轴：±12mm；）

移动范围2：150mm（X轴：30-100mm；Y轴：±12mm；）

移动范围1：200mm（X轴：30-100mm；Y轴：±12mm；）

可选：平坦的物镜可以增加光程；带有环形灯的暗场物镜，可以增加对比度

5.曝光器件

（1）波长范围：

NUV：350 - 450 nm

DUV：低至200 nm (可选)

（2）光源：

汞灯350W , 500W UV LED灯

（3）均匀性：

150mm：≤ 3%

200mm：≤ 4%

（4）滤光片：

汞灯：机械式

UV LED：软件可调

6.曝光模式

接触：硬、软接触，真空

曝光间隙：1 - 1000 ?m

线宽精度：1?m

模式：CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)

可选：内部，浸入，扇形

7.可选功能

键合对准精度：≤ ± 2,0 ?m

纳米压抑光刻（NIL）精度：≤ ± 2,0 ?m

纳米压抑光刻（NIL）软印章分辨率：≤ 50 nm图形分辨率

8.设施

真空：<150 mbar

压缩气体：6 bar

氮气：可选2或者6 bar

排气要求：汞灯需要；LED不需要

9.系统方式

系统：windows

文件分享和软件备份

***程序储存，参数储存在程序内

支持多语言，含中文

实时远程支持，诊断和排除故障

10.楔形补偿

全自动- 软件控制

11.规格

占地面积：0.55m?

高度：1.01m

重量：约250kg

纳米压印分辨率：≤ 40 nm（取决于模板和工艺）

支持工艺：Soft UV-NIL